[发明专利]在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法以及单晶硅半导体晶圆在审
| 申请号： | 202010462168.X | 申请日： | 2020-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN111993614A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | G·皮奇;P·威斯纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B28D5/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明主题是在多个切片操作期间借助线锯从工件切下多个晶圆的方法，线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，线引导辊安装在固定和可移动轴承之间。另一主题是通过该方法获得的单晶硅半导体晶圆。该方法包括，在切片操作中，存在工作流体，存在硬质物质，抵靠线网沿着供给方向供给工件，硬质物质磨蚀作用在工件；在切片操作中，根据温度轮廓对线引导辊的固定轴承温度控制，温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；在切片操作中，温度轮廓从有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据第一温度轮廓切下的晶圆确定第一平均形状轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 切片 操作 期间 借助于 工件 切下 多个晶圆 方法 以及 单晶硅 半导体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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