[发明专利]在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法以及单晶硅半导体晶圆

权利要求书

1.一种在多个切片操作期间借助于线锯从工件切下多个晶圆的方法，该线锯包括在两个线引导辊之间拉伸的锯切线的移动线区段的线网，该线引导辊中的每个被安装在固定轴承和可移动轴承之间，所述方法包括，

在该切片操作中的每个期间，在存在工作流体的情况下，在存在硬质物质的情况下，抵靠该线网沿着供给方向供给该工件中的一个，该硬质物质磨蚀地作用在该工件上；

在该切片操作期间，根据温度轮廓对各个线引导辊的该固定轴承进行温度控制，该温度轮廓要求温度作为切割深度的函数；

在该切片操作过程中，该温度轮廓从具有恒定温度过程的第一温度轮廓到第二温度轮廓的第一切换，该第二温度轮廓与第一平均形状轮廓和参考晶圆的形状轮廓的差成比例，从根据该第一温度轮廓已经切下的晶圆确定该第一平均形状轮廓。

2.根据权利要求1所述的方法，包括，

将该温度轮廓进一步切换到进一步温度轮廓，该进一步温度轮廓与先前切片的晶圆的进一步平均形状轮廓和该参考晶圆的形状轮廓的差成比例，该先前切片的晶圆源自至少1至5个切片操作，该至少1至5个切片操作紧接在当前切片操作之前。

3.根据权利要求1或2所述的方法，包括在该切片操作中的第一个期间使用该第一温度轮廓，该切片操作中的第一个发生在该线锯的、该锯切线的或该工作流体的至少一个特征改变之后。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的基于晶圆选择的基础上确定该第一平均形状轮廓和该进一步平均形状轮廓。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的切割相关选择的基础上确定该进一步平均形状轮廓。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在晶圆的基于晶圆选择的和基于切割选择的基础上确定该进一步平均形状轮廓。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括在晶圆的形状轮廓的加权平均的基础上确定该第一平均形状轮廓和该进一步平均形状轮廓。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中该锯切线是过共析珠光体钢丝线。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中该锯切线具有70μm至175μm的直径。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中该锯切线沿着纵向线轴线在垂直于该纵向线轴线的方向上设有多个突起和凹陷。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，包括在该切片操作期间，向该线区段供给冷却润滑剂作为工作流体，其中硬质物质由金刚石构成并且通过电镀结合、通过合成树脂结合或通过形状配合结合而被固定在该锯切线的表面上，并且该冷却润滑剂不含磨蚀地作用在该工件上的物质。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，包括在切片操作期间，向该线区段供给硬质物质在乙二醇或油中的浆料形式的工作流体，其中该硬质物质由碳化硅构成。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，包括以连续顺序的成对的方向反转来移动该锯切线，其中每对方向反转包括该锯切线在第一纵向线方向上的通过第一长度的第一移动和该锯切线在第二纵向线方向上的通过第二长度的第二、随后移动，该第二纵向线方向与该第一纵向线方向相反，并且该第一长度大于该第二长度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该锯切线在以该第一长度移动期间从第一线材沿该纵向线方向以第一张力被供给到该线网，并且该锯切线在以该第二长度移动期间从第二线材沿该纵向线方向以第二张力被供给到该线网，其中该第二张力小于该第一张力。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的方法，其中该工件由半导体材料构成。