[发明专利]利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试方法有效
| 申请号： | 202010456303.X | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111624533B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李裴森;胡佳飞;潘孟春;车玉路;邱伟成;潘龙;彭俊平;陈棣湘;周卫红 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 张丽娟 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试系统，亥姆霍兹线圈、载物平台、磁性薄膜和TMR磁传感器，所述磁性薄膜位于TMR磁传感器上方，所述TMR磁传感器固定于载物平台上，所述载物平台两端分别设有用于提供外磁场的亥姆霍兹线圈且所述载物平台和亥姆霍兹线圈垂直设置，所述磁性薄膜与电压源连接，所述电压源用于对磁性薄膜提供加载电压，所述亥姆霍兹线圈、TMR磁传感器分别与电流源连接。本发明结构简单，测试成本低，且能对磁性薄膜进行交流和直流电场调控磁性测试。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 tmr 传感器 磁性 薄膜 特性 测试 方法 | ||
【主权项】：
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