[发明专利]利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试方法

权利要求书

1.一种利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试系统的测试方法，其特征在于：包括直流电场调控磁性测试步骤或交流电场调控磁性测试步骤：

直流电场调控磁性测试步骤：用第二电流源（7）为亥姆霍兹线圈（1）提供直流偏置磁场，用电压源（3）为磁性薄膜（4）施加直流电场，测试磁性薄膜（4）的直流电场调控磁特性；

交流电场调控磁性测试步骤：用第二电流源（7）为亥姆霍兹线圈（1）提供直流偏置磁场，电压源（3）为磁性薄膜（4）施加交流电场，测试磁性薄膜（4）的交流电场调控磁特性；

所述利用TMR磁传感器的磁性薄膜电调特性测试系统包括亥姆霍兹线圈（1）、载物平台（2）、磁性薄膜（4）和TMR磁传感器（5），所述磁性薄膜（4）位于TMR磁传感器（5）上方，所述TMR磁传感器（5）固定于载物平台（2）上，所述载物平台（2）两端分别设有用于提供外磁场的亥姆霍兹线圈（1）且所述载物平台（2）和亥姆霍兹线圈（1）垂直设置，所述磁性薄膜（4）与电压源（3）连接，所述电压源（3）用于对磁性薄膜（4）提供加载电压，所述亥姆霍兹线圈（1）、TMR磁传感器（5）分别与电流源连接。

2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：在进行直流电场调控磁性测试步骤或交流电场调控磁性测试步骤之前还包括以下步骤：

测试TMR磁传感器（5）的灵敏度：开启第二电流源（7），对TMR磁传感器（5）施加磁场饱和磁化TMR磁传感器（5），分别测试TMR磁传感器（5）对于直流磁场和交流磁场的灵敏度；

测试亥姆霍兹线圈（1）与电流源是否匹配：第二电流源（7）输出幅值不变，增大第二电流源（7）输出电流的频率并监测亥姆霍兹线圈（1）内的电流，若亥姆霍兹线圈（1）内电流随第二电流源（7）输出电流的频率的变化影响测量，更换其他励磁系数的亥姆霍兹线圈（1）；

测试TMR磁传感器（5）频率响应：第二电流源（7）为亥姆霍兹线圈（1）提供交流电，监测亥姆霍兹线圈（1）内电流保持电流幅值不变，第一电流源（6）为TMR磁传感器（5）提供交流电，交流电的频率为定值f，增大亥姆霍兹线圈（1）内电流频率并保持电流幅值不变，得到TMR磁传感器（5）随亥姆霍兹线圈（1）内电流频率增大的输出电压，记录得到频率响应曲线。

3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于：所述亥姆霍兹线圈（1）、TMR磁传感器（5）分别与相同电流源连接；或

所述亥姆霍兹线圈（1）、TMR磁传感器（5）分别与不同电流源连接。

4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于：所述电流源为直流/交流电流源。

5.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于：所述亥姆霍兹线圈（1）和电流源的连接电路上设有电流检测系统。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的测试方法，其特征在于：所述电流源用电压源给磁性薄膜供电，电压源提供直流/交流电压。

7.根据权利要求3至5中任一项所述的测试方法，其特征在于：所述载物平台（2）采用非磁性材料制备而成。

8.根据权利要求7所述的测试方法，其特征在于：所述载物平台（2）的宽度与亥姆霍兹线圈（1）内径相匹配。