[发明专利]一种含超级结的3C-SiC外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010450746.8 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111477542A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 左万胜;钮应喜;乔庆楠;刘洋;张晓洪;刘锦锦;袁松;史田超;史文华;钟敏 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上生长N型外延层；由N型外延层的表面向下刻蚀沟槽；向沟槽内填充P型外延层；CMP抛光，抛去在填充的过程中台面顶部过生长的外延层，直至得到表面光滑的N型、P型交替的外延层表面；在表面光滑的N型、P型交替的外延层表面上生长3C‑SiC外延层。本发明通过在3C‑SiC外延层之下设置超级结结构，补偿了3C‑SiC器件耐压低的劣势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 sic 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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