[发明专利]富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管有效

专利信息
申请号: 202010449299.4 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111697134B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 张秀娟;邓巍;揭建胜;卢正军 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H10K71/10 分类号: H10K71/10;H10K85/20;H10K10/46;C30B29/02;C30B29/62;C30B7/06
代理公司: 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 代理人: 周礼涛
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管,制备方法包括以下步骤:提供一氧化硅片作为基底;在基底上设置绝缘层;在绝缘层上沉积光刻胶,并通过光刻技术在光刻胶上进行光刻,以在基底上构筑三维立体通道;配置C60溶液,将构筑有三维立体通道的基底浸没在C60溶液中,并通过提拉法将基底从C60溶液中匀速提拉出来,以在三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。本发明的制备方法,可以使C60分子在三维立体通道上自组装得到大面积、连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列。该制备方法操作简单,有利于富勒烯单晶纳米线阵列的大面积生长,适合大面积推广应用。
搜索关键词: 富勒烯单晶 纳米 阵列 制备 方法 有机 场效应 晶体管
【主权项】:
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