[发明专利]富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法及有机场效应晶体管

权利要求书

1.一种富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一氧化硅片作为基底；

在所述基底上设置绝缘层；

在所述绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在所述光刻胶上进行光刻，以在所述基底上构筑三维立体通道；

配置C60溶液，将构筑有所述三维立体通道的所述基底浸没在所述C60溶液中，并通过提拉法将所述基底从所述C60溶液中匀速提拉出来，以在所述三维立体通道上自组装得到连续且表面光滑的富勒烯单晶纳米线阵列，所述C60溶液的浓度为0.8mg/ml-1.5mg/ml，提拉的速度为30μm/s-80μm/s。

2.根据权利要求1所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，所述基底为掺杂的氧化硅/硅晶圆，所述绝缘层为BCB绝缘层、SU8绝缘层或PVP绝缘层中的一种。

3.根据权利要求2所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，提供一氧化硅片作为基底的步骤包括：

将所述基底在85℃-95℃条件下浸泡在浓硫酸中1h-3h；

浸泡后的所述基底在丙酮、异丙醇和去离子水中各超声清洗8min-15min，待超声清洗结束后取出所述基底并用氮气流吹干；

将清洗吹干后的所述基底放入到氧等离子清洁器中，并在80W-120W的功率下对所述基底处理200s-400s。

4.根据权利要求2所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在所述基底上设置绝缘层的步骤包括：

配置绝缘层溶液，将所述绝缘层溶液旋涂在所述基底上以得到薄膜状的所述绝缘层；

在氮气环境中，将旋涂有所述绝缘层的所述基底放在加热台上加热固化。

5.根据权利要求4所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，将旋涂有所述绝缘层的所述基底放在加热台上加热固化的步骤中，所述基底在所述加热台上以150℃-180℃条件加热20min-40min，完成后，再以250℃-280℃条件加热100min-150min。

6.根据权利要求4所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上沉积光刻胶，并通过光刻技术在所述光刻胶上进行光刻，以在所述基底上构筑三维立体通道的步骤包括：

在所述绝缘层上以3000r/min-4000r/min的速度旋涂光刻胶，并将旋涂有所述光刻胶的所述基底置于所述加热台上加热固化；

在光刻机中，对旋涂有所述光刻胶的所述基底套上掩膜板，并在紫外光环境下处理1s-2s，以在所述光刻胶上进行光刻；

将光刻处理后的所述基底置于显影液中进行显影，以得到构筑有所述三维立体通道的所述基底。

7.根据权利要求6所述的富勒烯单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，还包括：

将制备有所述富勒烯单晶纳米线阵列的所述基底置于丙酮溶液中，以溶解所述光刻胶。

8.一种有机场效应晶体管，其特征在于，包括：

由权利要求1-7中任一项所述的制备方法制备的富勒烯单晶纳米线阵列；

电极，设在所述富勒烯单晶纳米线阵列上，以构造成所述有机场效应晶体管。

9.根据权利要求8所述的有机场效应晶体管，其特征在于，所述电极包括：源极和漏极，所述源极和漏极均为底层为钙，顶层为银的组合电极，所述电极通过热蒸发法蒸镀在所述富勒烯单晶纳米线阵列上。