[发明专利]一种基于气刀和刮涂工艺制备钙钛矿发光二极管的方法有效
| 申请号： | 202010440156.7 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111446385B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 肖正国;储胜龙;陈文静;房志斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于气刀和刮涂工艺制备钙钛矿发光二极管的方法，包括：S1，获得空穴传输层溶液；S2，在透明导电材料上制备空穴传输层；S3，获得钙钛矿前驱液，在钙钛矿前驱液内加入摩尔比为20％～100％的有机长链胺基分子获得钙钛矿溶液；S4，采用刮涂法在空穴传输层薄膜上刮涂钙钛矿溶液，并用气刀吹干获得钙钛矿薄膜；S5，在钙钛矿薄膜上依次制备电子传输层和金属电极获得钙钛矿发光二极管。通过在钙钛矿前驱液中加入长链胺基分子抑制晶粒生长，并采用气刀来加速溶剂的挥发，成功制备荧光产率高，均匀致密的钙钛矿薄膜；另外，利用平面型结构制备出了高效率、大面积的钙钛矿发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 工艺 制备 钙钛矿 发光二极管 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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