[发明专利]一种基于气刀和刮涂工艺制备钙钛矿发光二极管的方法有效
| 申请号: | 202010440156.7 | 申请日: | 2020-05-21 |
| 公开(公告)号: | CN111446385B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
| 发明(设计)人: | 肖正国;储胜龙;陈文静;房志斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
| 地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 工艺 制备 钙钛矿 发光二极管 方法 | ||
1.一种基于气刀和刮涂工艺制备大面积钙钛矿发光二极管的方法,包括以下步骤:
S1,获得空穴传输层溶液;
S2,在透明导电材料上制备空穴传输层薄膜;
S3,获得溶液浓度为0.04M的钙钛矿前驱液,在所述钙钛矿前驱液内加入摩尔比为20%~100%的有机长链胺基分子获得钙钛矿溶液;
S4,采用刮涂法在所述空穴传输层薄膜上刮涂钙钛矿溶液,并用气刀吹干获得钙钛矿薄膜,其中,所述刮涂法所用刮涂机包括刮刀,所述刮刀与所述透明导电材料的间距为2~10μm;
S5,在所述钙钛矿薄膜上制备电子传输层和金属电极获得大面积钙钛矿发光二极管。
2.根据权利要求1所述的方法,所述步骤S2之前还包括根据待制备钙钛矿发光二极管发光层的尺寸和形状刻蚀所述透明导电材料。
3.根据权利要求1所述的方法,所述步骤S1具体为:
将聚合物空穴传输材料溶解于苯系溶剂中,获得所述空穴传输层溶液。
4.根据权利要求1所述的方法,所述步骤S3中获得钙钛矿前驱液具体为:
将AX与BX2按预设化学计量比溶解于DMF、DMSO、DMAC、NMP、GBL、2-ME、TMS、PC、DMPU中的一种或者几种组合中,获得所述钙钛矿前驱液,其中,A为MA+、FA+、Cs+一价阳离子中的一种或者几种组合,B为Pb2+、Sn2+、Mn2+、Cu2+、Ge2+二价阳离子中的一种或者几种组合,X为Cl-、Br-、I-一价阴离子中的一种或者几种组合。
5.根据权利要求1所述的方法,所述气刀与所述透明导电材料的间距为1~10cm。
6.根据权利要求1或5所述的方法,所述气刀的压力为0.05~0.3Mpa。
7.根据权利要求1所述的方法,所述步骤S2还包括将所述空穴传输层薄膜设于第一预设温度下退火第一预设时间。
8.根据权利要求1所述的方法,所述步骤S4还包括将所述钙钛矿薄膜设于第二预设温度下退火第二预设时间。
9.根据权利要求1所述的方法,所述电子传输层和金属电极的厚度分别为30~60nm和80~200nm。
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