[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010433459.6 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111564368A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 杨俊铖 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提供晶圆键合结构，晶圆键合结构包括键合的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一衬底和第一介质层，第一介质层的表面作为第一晶圆和第二晶圆的键合面，第一衬底中形成有阻挡层，而后，以阻挡层为刻蚀停止层，从第一衬底表面对第一衬底进行减薄，这样，在对第一晶圆进行减薄的过程中，去除了阻挡层上方的第一衬底材料，而不会对阻挡层造成损伤，因此提高减薄后第一衬底表面的均匀性，有利于后续工艺的进行，进而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
