[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供晶圆键合结构；

所述晶圆键合结构包括键合的第一晶圆和第二晶圆；

所述第一晶圆包括第一衬底和第一介质层，在所述第一晶圆中所述第一介质层的表面作为键合面；

所述第一衬底中形成有阻挡层；

以所述阻挡层作为刻蚀停止层，从所述第一衬底表面对所述第一衬底进行减薄。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一衬底中的阻挡层距离所述第一衬底的上表面和下表面均有一定的距离，以将所述第一衬底分为第一部分衬底和第二部分衬底。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一衬底中的阻挡层通过离子注入的方法形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一衬底为硅，所述离子注入的材料为碳离子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层在形成所述第一介质层之前形成，或，所述阻挡层在所述第一晶圆和所述第二晶圆键合之后形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度范围为1-2μm。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的方法，其特征在于，对所述第一衬底进行减薄的方法可以包括：

湿法腐蚀和/或化学机械研磨的方法。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀采用的溶液为四甲基氢氧化铵。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：

去除所述阻挡层。

10.根据权利要求1-6中任意一项所述的方法，其特征在于，还包括：

从所述第一衬底刻蚀形成硅通孔；

在所述硅通孔中形成所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的引出结构和/或互连结构。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一介质层中包括：第一金属键合层和第一非金属键合层；

所述第二晶圆包括：第二介质层；所述第二介质层包括：第二金属键合层和第二非金属键合层；

所述键合的第一晶圆与第二晶圆包括：

键合的所述第一介质层与所述第二介质层，以及，键合所述第一非金属键合层与所述第二非金属键合层；键合所述第一金属键合层与所述第二金属键合层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述键合所述第一非金属键合层与所述第二非金属键合层包括：

不通过施加外力，使所述第一非金属键合层和所述第二非金属键合层接触；所述第一非金属键合层和所述第二非金属键合层通过范德华力键合。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述键合所述第一非金属键合层与所述第二非金属键合层包括：

通过施加外力，使所述第一非金属键合层和所述第二非金属键合层接触。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述键合所述第一金属键合层与所述第二金属键合层包括：

通过加热使所述第一金属键合层与所述第二金属键合层形成一个整体。

15.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一晶圆和第二晶圆；

所述第一晶圆包括第一衬底和第一介质层，所述第一衬底中形成有阻挡层；

所述第二晶圆与第一晶圆键合，在所述第一晶圆中所述第一介质层的表面作为键合面。

16.根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第一介质层中包括：第一金属键合层和第一非金属键合层；

所述第二晶圆包括：第二介质层；所述第二介质层包括：第二金属键合层和第二非金属键合层；

其中，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层相键合；所述第一非金属键合层和所述第二非金属键合层相键合。