[发明专利]一种基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器在审
| 申请号： | 202010433019.0 | 申请日： | 2020-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN111580028A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 中山科立特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528458 广东省中山市火炬开发区中心城区港义*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器，在衬底的凹槽内设置磁致伸缩材料层和压电材料层，凹槽上、衬底上设置半导体层，半导体层上设置源极和漏极。探测磁场时，在磁场作用下，磁致伸缩材料层膨胀导致压电材料层被压缩，在压电材料层上出现电荷，从而改变半导体层中载流子的浓度，引起源极和漏极间的电信号变化，通过测试该电信号的变化实现磁场的探测。由于本发明中，源极和漏极之间的电信号对载流子浓度非常灵敏，所以本发明具有灵敏度高的优点。另外，可以选择不同的磁致伸缩材料以实现不同程度的膨胀，所以本发明具有量程宽的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 伸缩 效应 半导体 磁场 探测器 | ||
【主权项】：
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