[发明专利]一种基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器在审

专利信息
申请号: 202010433019.0 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111580028A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 中山科立特光电科技有限公司
主分类号: G01R33/06 分类号: G01R33/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528458 广东省中山市火炬开发区中心城区港义*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 伸缩 效应 半导体 磁场 探测器
【权利要求书】:

1.一种基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于,包括:衬底、凹槽、磁致伸缩材料层、压电材料层、半导体层、源极、漏极;所述衬底具有所述凹槽,所述磁致伸缩材料层置于所述凹槽的底部,所述压电材料层置于所述磁致伸缩材料层上,所述压电材料层的上表面为平面,所述压电材料层不低于所述衬底表面,所述半导体层覆盖所述凹槽,所述源极和所述漏极设置在所述半导体层上,并且所述源极和所述漏极置于所述凹槽的两侧;探测磁场时,磁场作用于所述磁致伸缩材料层,所述磁致伸缩材料层的膨胀导致所述压电材料层被压缩,在所述压电材料层上出现电荷,从而改变所述源极和所述漏极之间的电信号,通过测试该电信号实现磁场的探测。

2.如权利要求1所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述磁致伸缩材料层为镍合金、铁基合金、铁氧体材料。

3.如权利要求2所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述压电材料层为锆钛酸铅或聚偏二氟乙烯。

4.如权利要求3述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述源极为铝或金,所述漏极为铝或金。

5.如权利要求4所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述半导体层是含氮化镓与铝镓氮外延层的硅衬底。

6.如权利要求1-5任一项所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述磁致伸缩材料层的中部具有凸起。

7.如权利要求6所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:在所述半导体层上、所述凹槽的中部设有贵金属块。

8.如权利要求7所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述贵金属块为金。

9.如权利要求8所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:所述贵金属块的宽度大于所述凹槽的宽度。

10.如权利要求9所述的基于磁致伸缩效应的半导体磁场探测器,其特征在于:在所述金属块上还设有重物。

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