[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010426149.1 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111613737B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 吴永伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 刁文魁 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法，钙钛矿发光二极管的制备方法包括：提供一基板，在基板上形成第一电极层，在第一电极层上形成空穴传输层，在空穴传输层上设置钙钛矿前驱液层，将第一溶剂涂覆于钙钛矿前驱液层，对涂覆有第一溶剂的钙钛矿前驱液层进行第一次热处理使钙钛矿前驱液层形成钙钛矿预制层，将第二溶剂涂覆于钙钛矿预制层，对涂覆有第二溶剂的钙钛矿预制层进行第二次热处理使钙钛矿预制层形成钙钛矿发光层，在钙钛矿发光层依次层叠设置电子传输层和第二电极层。在本申请中，通过二次反溶剂法制备钙钛矿发光层，延缓了结晶过程，提升结晶的规整度与可控性，进而提高了钙钛矿发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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