[发明专利]钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010426149.1 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111613737B 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 吴永伟 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,钙钛矿发光二极管的制备方法包括:提供一基板,在基板上形成第一电极层,在第一电极层上形成空穴传输层,在空穴传输层上设置钙钛矿前驱液层,将第一溶剂涂覆于钙钛矿前驱液层,对涂覆有第一溶剂的钙钛矿前驱液层进行第一次热处理使钙钛矿前驱液层形成钙钛矿预制层,将第二溶剂涂覆于钙钛矿预制层,对涂覆有第二溶剂的钙钛矿预制层进行第二次热处理使钙钛矿预制层形成钙钛矿发光层,在钙钛矿发光层依次层叠设置电子传输层和第二电极层。在本申请中,通过二次反溶剂法制备钙钛矿发光层,延缓了结晶过程,提升结晶的规整度与可控性,进而提高了钙钛矿发光二极管的发光效率。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域,具体涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。

背景技术

钙钛矿材料因具有的高效率、高亮度和高色纯度的特点,被广泛应用于太阳能电池、显示和照明、激光和探测器等光电子器件领域,但因钙钛矿薄膜的晶界处存在不稳定的离子态,进而导致钙钛矿薄膜的表面存在大量的缺陷,使得钙钛矿薄膜的结晶规整性和可控性降低,因而需要提供一种提高钙钛矿薄膜结晶的规整性和可控性的方法。

发明内容

本申请提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,以解决钙钛矿薄膜结晶的规整性和可控性的问题。

本申请提供一种钙钛矿发光二极管的制备方法,包括:

提供一基板;

在所述基板上形成第一电极层;

在所述第一电极层上形成空穴传输层;

在所述空穴传输层上设置钙钛矿前驱液层;

将第一溶剂涂覆于所述钙钛矿前驱液层,对涂覆有所述第一溶剂的所述钙钛矿前驱液层进行第一次热处理使所述钙钛矿前驱液层形成钙钛矿预制层;

将第二溶剂涂覆于所述钙钛矿预制层,对涂覆有所述第二溶剂的所述钙钛矿预制层进行第二次热处理使所述钙钛矿预制层形成钙钛矿发光层;以及

在所述钙钛矿发光层依次层叠设置电子传输层和第二电极层。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第一溶剂包括甲苯、氯苯、苯甲醚和丙酮中的一种或几种的组合。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第二溶剂包括乙醇、异丙醇和正己烷中的一种或几种组合。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述空穴传输层的材料包括PEDOT:PSS、NiO和MoO3中的一种或几种组合。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述电子传输层的材料包括TPBi、B3PYMPM、BCP、SnO2和TiO2中的一种或几种组合。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第一电极层和所述第二电极层的材料包括Al、ITO、Mg和Ag中的一种或几种组合。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第一次热处理和所述第二次热处理的温度为60摄氏度-120摄氏度。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第一次热处理和所述第二次热处理的时间为10分钟-120分钟。

在本申请所提供的钙钛矿发光二极管的制备方法中,所述第一次热处理和所述第二次热处理的氛围包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种或几种组合。

本申请还提供一种钙钛矿发光二极管,包括:

基板;

第一电极层,在所述基板上设置第一电极层;

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