[发明专利]一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法在审
| 申请号： | 202010412513.9 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111584343A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王兴明;李良 | 申请（专利权）人： | 常州启航能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京创略知识产权代理事务所(普通合伙) 32358 | 代理人： | 陈雅洁 |
| 地址： | 213000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，首先对原硅片进行抛光腐蚀，具体包括硅片清洗、碱抛光、水洗、酸洗、水洗、烘干；然后在硅片的其中一个面进行处理形成一层耐腐蚀薄膜，对硅片未设置耐碱腐蚀的薄膜的一面采用链式刻蚀设备进行清洗。本发明通过在制绒前对硅片表面进行预处理，进而达到在制绒工序实现一面形成绒面、一面形成抛光面的工艺效果；简化了现有PERC电池的工艺流程，降低生产成本，降低企业环保压力、同时因预处理对抛光面反射率的良好控制实现提高电池转化效率的目的，提高太阳能电池的转换效率，可兼容后续的薄片工艺和高效工艺，取消碱抛光或者酸抛光工艺，降低客户的设备投入成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 实现 抛光 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州启航能源科技有限公司，未经常州启航能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010412513.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
