[发明专利]一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法

权利要求书

1.一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、对原硅片进行抛光腐蚀：

S1、硅片清洗

S2、碱抛光

腐蚀克重为0.05～1g，反应温度为50～85℃；

S3、水洗

S4、酸洗、

S5、水洗

S6、烘干。

二、在硅片的其中一个面进行处理形成一层耐腐蚀薄膜；

S7、在硅片的任一面制备一层耐碱腐蚀的薄膜，所述的耐碱腐蚀的薄膜为氮化硅、氧化硅、或者氮化硅/氧化硅的复合薄膜；

S8、对硅片未设置耐碱腐蚀的薄膜的一面采用链式刻蚀设备进行清洗。

2.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，硅片清洗采用的溶液为氢氧化钠或氢氧化钾与双氧水的混合水溶液，溶液中氢氧化钾或氢氧化钠的质量浓度为1％～20％，双氧水的质量浓度为1％～30％，反应温度为50～85℃。

3.如权利要求2所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，清洗的处理时间为10S～300S。

4.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，碱抛光采用的是氢氧化钾或氢氧化钠与催化剂的混合溶液；溶液中氢氧化钾或氢氧化钠的质量浓度为1％～20％，溶液中催化剂的质量浓度为0.1％～3％，所述碱抛的处理时间为30S～300S。

5.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，S3和S5中水洗采用去离子水水洗。

6.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，S4中酸洗采用的溶液为HF、HCL和去离子水的混合溶液；溶液中HF质量浓度为3％～20％，HCL质量浓度为3％～20％；反应温度0～35℃，清洗时间10S～300S。

7.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，S6中烘干为热风烘干，烘干温度50～85℃，烘干时间10S～600S。

8.如权利要求1所述的可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法，其特征在于，S8中，清洗时的溶液为HF、HCL和去离子水的混合溶液，其中HF质量浓度为3％～20％，HCL质量浓度为3％～20％，处理温度为5℃～20℃，处理时间10S～200S，腐蚀重量为0.02g～0.1g。