[发明专利]一种低温硅异质结电池组件的制作与修复方法在审
申请号: | 202010409504.4 | 申请日: | 2020-05-14 |
公开(公告)号: | CN111540801A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 刘正新;韩安军;孟凡英;陈红元 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/074;H01L31/18 |
代理公司: | 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 | 代理人: | 汪林 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种低温硅异质结电池组件的制作方法,在太阳能电池的正面及背面均制备细栅电极和主栅电极,所述一个太阳能背面主栅电极通过互联条与所述另一个太阳能电池的正面主栅电极固定连接在一起,形成太阳能电池串;本发明还提供一种低温硅异质结电池组件的修复方法,包括以下步骤:S1筛选出不良片X;S2将不良片X正面互联条保留在电池片B的背面上;S3将不良片X背面互联条保留在电池片A的正面上;S4选取电池片Y,通过并层焊接或重叠焊接替换不良片X;本发明的有益效果是:通过将背面的主栅电极和正面主栅电极相互串联,形成串联电池组件;通过并层焊接或重叠焊接,能抵抗拉力;通过限定互联条的合金镀层,防止故障,能快速成型。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 硅异质结 电池 组件 制作 修复 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的