[发明专利]一种低温硅异质结电池组件的制作与修复方法在审
| 申请号: | 202010409504.4 | 申请日: | 2020-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN111540801A | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
| 发明(设计)人: | 刘正新;韩安军;孟凡英;陈红元 | 申请(专利权)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 51250 | 代理人: | 汪林 |
| 地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 低温 硅异质结 电池 组件 制作 修复 方法 | ||
1.一种低温硅异质结电池组件的制作方法,其特征在于:在太阳能电池的正面及背面均制备细栅电极和主栅电极,所述的一个太阳能背面主栅电极通过互联条与所述的另一个太阳能电池的正面主栅电极固定连接在一起,形成太阳能电池串。
2.根据权利要求1所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的固定连接采用导电胶膜、导电胶或智能布线中的一种。
3.根据权利要求1-2任一项所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1通过电致发光检测或人工检测操作中,筛选出太阳能电池串的不良电池片,并标记为不良片X;
S2将包含有不良片X的电池串正面朝上,加热背面,使不良片X正面固定连接的互联条松开,对应的互联条保留在相邻的电池片的背面上,将此电池片标记为电池片B;
S3待电池片B上保留的互联条完全脱离固定后,将电池串翻转,背面朝上,加热正面,使背面的互联条松开,对应的互联条保留在相邻的电池片的正面上,将此电池片标记为电池片A;
S4选取与电池片A和电池片B同一档位的良好电池,标记为电池片Y,将电池Y通过并层焊接或重叠焊接,替换不良片X的位置,形成修复后的电池串。
4.根据权利要求3所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的并层焊接或重叠焊接为包括以下步骤:
(1)选择性能参数与电池片A和B在同一个档位,并且外观颜色无明显差异,其正、背面朝向与电池片A和B一致的电池片Y;
(2)在选择的电池片Y的正面主栅电极焊接互联条,延伸方向与电池串的排列方向一致,并向电池片B延伸;
(3)将正面焊接好的电池片Y翻转,此时将电池片Y的背面主栅电极焊接互联条,延伸方向与电池串的排列一致,并向电池片A延伸;
(4)剪切电池片Y的背面主栅电极的所有互联条,剪切处为靠近电池片A相邻侧的0.5-2mm范围内,保证切断面光滑平整,在电池片A的正面主栅电极连接的互联条与电池片Y的背面主栅电极连接的互联条铺设在一起,同时按照重叠5-10mm的长度修剪或按照并列长度5-10mm的长度修剪;
(5)将电池片Y的正面主栅电极的所有互联条和电池片B按照步骤(4)进行修剪;
(6)将步骤(4)和(5)修剪后的互联条均通过熔接方式连接在一起。
5.根据权利要求4所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的焊接温度为180-350℃。
6.根据权利要求4所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的熔接为通过电焊或者电热使互联条熔化接合在一起。
7.根据权利要求3所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的加热温度为180-350℃。
8.根据权利要求3所述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的互联条为优良电导率的金属材料,并且表面覆盖有合金镀层。
9.根据权利要求8述的一种低温硅异质结电池组件的修复方法,其特征在于:所述的合金镀层为Sn-Pb-Bi合金、Sn-Sb-Ag合金或者Sn-Pb合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





