[发明专利]化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法有效
| 申请号： | 202010405646.3 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111944428B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | N·K·彭塔;K·E·特泰;M·范汉尼赫姆 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;钱文宇 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种酸性化学机械抛光组合物，其优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对所述二氧化硅的损伤。所述酸性化学机械抛光组合物包括聚乙烯吡咯烷酮聚合物、阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒以及胺羧酸。所述酸性化学机械抛光组合物的pH为5或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 组合 以及 优先 二氧化硅 抛光 氮化 同时 抑制 损伤 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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