[发明专利]化学机械抛光组合物以及优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的方法有效
| 申请号： | 202010405646.3 | 申请日： | 2020-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111944428B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | N·K·彭塔;K·E·特泰;M·范汉尼赫姆 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;钱文宇 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 组合 以及 优先 二氧化硅 抛光 氮化 同时 抑制 损伤 方法 | ||
1.一种优先于二氧化硅抛光氮化硅并同时抑制对二氧化硅的损伤的酸性化学机械抛光组合物，其包含以下项：
水；
0.1-10重量％的阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒；
0.001重量％或更多的重均分子量为3500-150000的聚乙烯吡咯烷酮聚合物；
0.01重量％或更多的胺羧酸；
0.001重量％或更多的阴离子表面活性剂；
0.001-0.1重量％的杀生物剂；并且，
其中，所述酸性化学机械抛光组合物的pH为5或更小，
所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒的阴离子官能团选自磺酸基团和膦酸基团，所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒在5或更小的pH下具有-5mV至-50mV的ζ电位；
所述胺羧酸选自天冬氨酸、谷氨酸、烟酸和吡啶甲酸。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含以下项水；
0.1-10重量％的阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒；
0.001重量％或更多的重均分子量为3500-100000的聚乙烯吡咯烷酮聚合物；
0.01重量％或更多的胺羧酸；
0.001重量％或更多的阴离子表面活性剂；
0.001-0.1重量％的杀生物剂；并且，
其中，所述酸性化学机械抛光组合物的pH为2-5，
所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒的阴离子官能团选自磺酸基团和膦酸基团，所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒在5或更小的pH下具有-5mV至-50mV的ζ电位；
所述胺羧酸选自天冬氨酸、谷氨酸、烟酸和吡啶甲酸。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含以下项：水；
0.1-10重量％的阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒；
0.001重量％或更多的重均分子量为3500-80000的聚乙烯吡咯烷酮聚合物；
0.01重量％或更多的胺羧酸；
0.001重量％或更多的阴离子表面活性剂；
0.001-0.1重量％的杀生物剂；并且，
其中，所述酸性化学机械抛光组合物的pH为3-5，
所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒的阴离子官能团选自磺酸基团和膦酸基团，所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒在5或更小的pH下具有-5mV至-50mV的ζ电位；
所述胺羧酸选自天冬氨酸、谷氨酸、烟酸和吡啶甲酸。
4.如权利要求3所述的化学机械抛光组合物，其中，所述化学机械抛光组合物包含以下项：
所述水；
0.5wt％至5wt％的所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒；
0.005wt％至0.25wt％的所述聚乙烯吡咯烷酮聚合物，其中所述聚乙烯吡咯烷酮聚合物具有3500至60,000的重均分子量；
0.01wt％或更多的所述胺羧酸，其中所述胺羧酸具有小于5的等电点；
0.001wt％或更多的所述阴离子表面活性剂；
0.001wt％至0.1wt％的所述杀生物剂；并且
其中，所述化学机械抛光组合物的pH为3-4,
所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒的阴离子官能团选自磺酸基团和膦酸基团，所述阴离子官能胶体二氧化硅磨料颗粒在5或更小的pH下具有-5mV至-50mV的ζ电位；
所述胺羧酸选自天冬氨酸、谷氨酸、烟酸和吡啶甲酸。
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