[发明专利]一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备有效
| 申请号： | 202010398868.7 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN111710716B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李永亮;李俊杰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种鳍状半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，通过选择性氧化处理在源漏区与衬底之间形成隔离层，以抑制源漏区漏电，具有成本低，制作工艺简单的优点。所述鳍状半导体器件包括：衬底以及形成在衬底上的鳍式场效应晶体管；鳍式场效应晶体管包括源漏区以及与源漏区连接的沟道层；鳍式场效应晶体管还包括形成在衬底与源漏区之间的隔离层；其中，隔离层采用选择性氧化处理形成。鳍状半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提供的鳍状半导体器件。本发明提供的鳍状半导体器件应用于电子设备中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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