[发明专利]激光退火方法及激光控制装置在审
| 申请号： | 202010392037.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN112053943A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 冈田康弘;万雅史 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制半导体晶片的非照射面的温度上升并且能够高效地对照射面进行加热的激光退火方法。使激光脉冲周期性地入射于半导体晶片从而进行退火。此时，使下一周期的激光脉冲入射于基于上一次的激光脉冲的入射而温度上升后处于冷却过程中的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 控制 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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