[发明专利]激光退火方法及激光控制装置在审
| 申请号： | 202010392037.9 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN112053943A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 冈田康弘;万雅史 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/06 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 方法 控制 装置 | ||
1.一种激光退火方法，其为使激光脉冲周期性地入射于半导体晶片从而进行退火的方法，所述激光退火方法的特征在于，
使下一周期的激光脉冲入射于基于上一次的激光脉冲的入射而温度上升后处于冷却过程中的位置。
2.根据权利要求1所述的激光退火方法，其特征在于，
在表面温度下降相当于基于上一次的激光脉冲的入射而引起的所述半导体晶片的表面温度的上升宽度的99％的温度宽度的时刻之前，使下一周期的激光脉冲入射。
3.根据权利要求2所述的激光退火方法，其特征在于，
在表面温度下降相当于基于上一次的激光脉冲的入射而引起的所述半导体晶片的表面温度的上升宽度的95％的温度宽度的时刻之前，使下一周期的激光脉冲入射。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光退火方法，其特征在于，
所述激光脉冲的重复频率为15kHz以上。
5.根据权利要求4所述的激光退火方法，其特征在于，
所述激光脉冲的重复频率为100kHz以上。
6.一种激光控制装置，其控制使脉冲激光束入射于退火对象的半导体晶片上的脉冲激光振荡器，所述激光控制装置的特征在于，
控制所述脉冲激光振荡器以使激光脉冲的重复频率成为15kHz以上。
7.根据权利要求6所述的激光控制装置，其特征在于，
控制所述脉冲激光振荡器以使所述激光脉冲的重复频率成为100kHz以上。
8.根据权利要求6或7所述的激光控制装置，其特征在于，
所述脉冲激光振荡器为光纤激光振荡器或锁模激光振荡器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
