[发明专利]一种基于霍尔效应的磁场传感器和其制作方法在审
| 申请号： | 202010385429.2 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN113625207A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 史刚;杨天中;李永庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种基于霍尔效应的磁场传感器，其包括：衬底；由拓扑绝缘材料制成的至少一条霍尔条带，所述至少一条霍尔条带附着在所述衬底上；以及至少两个接触电极，分别位于所述至少一条霍尔条带的两端，所述接触电极通过导线与外接电路连接。该磁场传感器具有空间分辨率高、噪声水平低以及适应温度范围大等特点。还公开了相关的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 霍尔 效应 磁场 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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