[发明专利]一种基于霍尔效应的磁场传感器和其制作方法在审
| 申请号： | 202010385429.2 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN113625207A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 史刚;杨天中;李永庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07;H01L43/06;H01L43/10;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 霍尔 效应 磁场 传感器 制作方法 | ||
1.一种基于霍尔效应的磁场传感器，包括：
衬底；
由拓扑绝缘材料制成的至少一条霍尔条带，所述至少一条霍尔条带附着在所述衬底上；以及
至少两个接触电极，分别附着在所述至少一条霍尔条带的两端，所述接触电极通过导线与外接电路连接。
2.如权利要求1所述的磁场传感器，其中，所述拓扑绝缘材料为(Bi,Sb)2(Te,Se)3。
3.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，所述接触电极包括钯层和金层。
4.如权利要求1-3所述的磁场传感器，其中，所述至少一条霍尔条带的宽度和厚度，以及所述接触电极的厚度均小于1微米。
5.一种制作基于霍尔效应的磁场传感器的方法，包括：
通过机械解理，获得拓扑绝缘材料层；
将所述拓扑绝缘材料层附着在绝缘材料制成的衬底上；
通过微加工对所述拓扑绝缘材料薄层进行处理，以获得至少一条霍尔条带；
在所述至少一条霍尔条带的两端，通过微加工形成附着于其上的接触电极，所述接触电极通过导线与外接电路连接。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述拓扑绝缘材料为(Bi,Sb)2(Te,Se)3，通过电子束曝光和反应离子刻蚀，对所述拓扑绝缘材料薄层进行处理，以获得所述至少一条霍尔条带。
7.如权利要求6所述的方法，其中，通过蒸镀将钯层和金层叠加制成所述接触电极并附着在所述至少一条霍尔条带的两端。
8.如权利要求5-7所述的方法，其中，所述至少一条霍尔条带的宽度和厚度，以及所述接触电极的厚度均小于1微米。
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