[发明专利]半导体晶面镀膜工艺

摘要

本发明公开一种半导体晶面镀膜工艺，包括以下步骤：S1：预处理：将半导体基片浸于清洗液中，45～60℃超声处理5～10min，洗涤、干燥；S2：等离子体沉积TiO2膜：将半导体基片置于射频等离子体装置内，抽真空至10‑2～10‑1Pa，通入氩气至气压为20～30Pa，放电3～5min，再以60～120sccm流量通入钛酸四乙酯蒸汽、氧气的混合气体，沉积8～12s，350～400℃热处理1～2h；S3：气相沉积MgF2膜：将半导体基片置于真空磁控溅射装置内，以金属镁作为靶材，抽真空至10‑4～3×10‑3Pa，设置靶材温度为200℃，溅射电流为10～13A，以100～500sccm流量通入SiF4、水蒸气、氩气的混合气体，溅射25～50nm。本发明克服对靶材自身特性的要求，实现在较低温度下镀制TiO2膜和MgF2膜，镀膜效率高，膜层结构稳定，厚度均匀，适合工业化批量生产。