[发明专利]半导体晶面镀膜工艺

权利要求书

1.一种半导体晶面镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：预处理：将半导体基片浸于清洗液中，45～60℃超声处理5～10min，除去表面油污和杂质，清水冲洗3～4次，进行干燥；

S2：等离子体沉积TiO₂膜：将预处理后半导体基片置于射频等离子体装置内，抽真空至10^-2～10^-1Pa，通入氩气至气压为20～30Pa，以50～70W功率放电3～5min，再以60～120sccm流量通入钛酸四乙酯蒸汽、氧气的混合气体，沉积8～12s后，于350～400℃热处理1～2h；

S3：气相沉积MgF₂膜：将预镀膜后半导体基片置于真空磁控溅射装置内，以金属镁作为靶材，抽真空至10^-4～3×10^-3Pa，设置靶材温度为200℃，溅射电流为10～13A，以100～500sccm流量通入SiF₄、水蒸气、氩气的混合气体，溅射25～50nm。

2.根据权利要求1所述一种半导体晶面镀膜工艺，其特征在于，所述半导体基片材料为硅单晶、碳化硅单晶、锗单晶中的一种。

3.根据权利要求1所述一种半导体晶面镀膜工艺，其特征在于，所述清洗液包括以下质量百分比组分：氨基磺酸2.5～5％、氢氟酸1～3％、聚天冬氨酸3～6％、聚氧乙烯脂肪酸酯1～2％、水补足余量。

4.根据权利要求1所述一种半导体晶面镀膜工艺，其特征在于，所述钛酸四乙酯蒸汽、氧气的体积比为1：(1.2～2.4)。

5.根据权利要求1所述一种半导体晶面镀膜工艺，其特征在于，所述SiF₄、水蒸气、氩气体积比为1：(3～4)：(40～65)。