[发明专利]绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202010376705.9 | 申请日： | 2020-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN113540223A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈骏盛 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法。所述绝缘栅极场效双极性晶体管包括基底、形成于基底内的深阱区及其上方的第一导电型阱区、形成于基底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的第一导电型阱区上的源极区与漏极区、阳极以及阴极。源极区包括第一掺杂区以及介于第一掺杂区与栅极结构之间的第二掺杂区、漏极区包括第三掺杂区以及形成于第三掺杂区上的第四掺杂区。基底、第一掺杂区与第四掺杂区为第一导电型，深阱区、第二掺杂区与第三掺杂区为第二导电型。阳极电性耦接至第四掺杂区，阴极则电性耦接至第一与第二掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 场效双 极性 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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