[发明专利]绝缘栅极场效双极性晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅极场效双极性晶体管，其特征在于，包括：

基底，为第一导电型；

深阱区，形成于所述基底内，所述深阱区为第二导电型；

第一导电型阱区，形成于所述深阱区上方的所述基底内；

栅极结构，形成于所述基底上；

源极区，位于所述栅极结构一侧的所述第一导电型阱区上，且所述源极区包括第一掺杂区以及介于所述第一掺杂区与所述栅极结构之间的第二掺杂区，其中所述第一掺杂区为所述第一导电型，所述第二掺杂区为所述第二导电型；以及

漏极区，位于所述栅极结构另一侧的所述第一导电型阱区上，且所述漏极区包括第三掺杂区以及形成于所述第三掺杂区内的第四掺杂区，其中所述第三掺杂区为所述第二导电型，所述第四掺杂区为所述第一导电型；

阳极，电性耦接至所述第四掺杂区；以及

阴极，电性耦接至所述第一掺杂区与所述第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述第一导电型为P型，且所述第二导电型为N型。

3.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述第一导电型为N型，且所述第二导电型为P型。

4.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述第一掺杂区与所述第四掺杂区包括离子注入区或外延结构。

5.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述第二掺杂区与所述第三掺杂区包括离子注入区或外延结构。

6.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述漏极区与所述第一导电型阱区形成PNP双极性晶体管或NPN双极性晶体管。

7.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述栅极结构包括：

栅极；

栅极绝缘层，形成于所述栅极与所述基底之间；以及

多个间隙壁，形成于所述栅极的侧壁。

8.如权利要求7所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述栅极绝缘层包括氧化层、高介电常数(high-k)材料层或其组合。

9.如权利要求7所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述栅极包括多晶硅或金属。

10.如权利要求7所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，还包括：多个源极/漏极扩展区(source/drain extension region)，位于所述间隙壁下方的所述基底内，所述多个源极/漏极扩展区为所述第二导电型。

11.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，还包括：多个口袋型掺杂区，分别邻接所述第二掺杂区与所述第三掺杂区，所述多个口袋型掺杂区为所述第一导电型。

12.如权利要求1所述的绝缘栅极场效双极性晶体管，其中所述基底具有鳍部，且所述第一导电型阱区形成于所述鳍部，所述栅极结构横跨所述鳍部。

13.一种绝缘栅极场效双极性晶体管的制造方法，包括：

在第一导电型的基底中形成隔离结构，以定义出至少一主动区；

在所述基底内形成第二导电型的深阱区；

在所述深阱区上方的所述基底内形成第一导电型阱区；

在所述基底表面形成栅极结构跨过所述主动区；

在所述栅极结构两侧的所述第一导电型阱区上分别形成第二掺杂区与第三掺杂区，其中所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区为所述第二导电型；

进行选择性外延成长(Selective Epitaxy Growth，SEG)，以于所述第二掺杂区外侧的所述第一导电型阱区上形成第一掺杂区，并于所述第三掺杂区上形成第四掺杂区，其中所述第一掺杂区以及所述第四掺杂区为所述第一导电型；

形成电性耦接至所述第四掺杂区的阳极；以及

形成电性耦接至所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的一阴极。