[发明专利]一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法有效
| 申请号： | 202010374072.8 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN111574553B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 普世坤;谢天敏;朱知国;张东晟;许金斌;李庭安;吴王昌;李正美;赵娟;李长林;林作亮 | 申请（专利权）人： | 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F7/30 | 分类号： | C07F7/30;A61K31/28;A61P35/00;A61P1/04;A61P3/10;A61P9/12;A23L33/10;A61K8/58;A61Q19/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 董昆生 |
| 地址： | 677000 云南省临沧市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机化合物制备技术领域，具体公开了一种低氯高纯羧乙基锗倍半氧化物的制备方法，包括将羧乙基锗倍半氧化物进行至少一次重结晶操作，具体步骤包括加热、溶解、冷却、结晶、过滤、洗涤、烘干，所述溶解过程中所使用的溶剂为去离子水、去离子水和食品级丙酮的混合物、去离子水和食品级乙醇的混合物中的一种，其中去离子水和食品级丙酮的体积比为1:1‑1.5；去离子水和食品级乙醇的体积比为1:0.5‑1.0，实施本发明的技术方案，使羧乙基锗倍半氧化物中的杂质成分，如氯离子、无机二氧化锗等的含量得到大幅降低，从而提高了羧乙基锗倍半氧化物的质量，使其纯度达到99.99%以上，氯离子含量小于50ug/g，满足了特殊客户用于生产化妆品、食品等方面的特殊要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 乙基 锗倍半 氧化物 制备 方法 | ||
【主权项】：
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