[发明专利]一种低介电、低损耗聚酰亚胺复合材料及制备方法与应用在审
| 申请号： | 202010367545.1 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111393646A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 刘欢;李智;彭冲;田琰;林德宝;宋锡滨 | 申请（专利权）人： | 上海国瓷新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08L79/08;C08K9/06;C08K7/26;C08J5/18 |
| 代理公司： | 北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560 | 代理人： | 江莉莉 |
| 地址： | 201108 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于有机高分子材料技术领域，具体涉及一种适宜于5G体系应用的低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料，并进一步公开其制备方法与应用。本发明所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，基于水热合成的方式，利用氨基硅烷改性剂对介孔材料进行表面修饰改性，并将氨基修饰后的介孔材料引入到聚酰亚胺上，不仅有效提高了介孔材料与聚酰亚胺前驱体共混的分散均匀性和材料的成膜性，更有效降低了聚酰亚胺材料的介电常数和介电损耗，提高了材料的介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 聚酰亚胺 复合材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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