[发明专利]一种低介电、低损耗聚酰亚胺复合材料及制备方法与应用

权利要求书

1.一种制备低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)取氨基硅烷改性剂，并依次加入介孔材料、反应溶剂和酸性溶液分散均匀，并于150-180℃进行水热反应；反应结束后，收集沉淀物经洗涤、干燥、焙烧，得到表面氨基修饰的氨基介孔材料，将其分散于有机溶剂中，备用；

(2)在保护气氛下，将所述含氨基介孔材料的有机溶剂加入至极性溶剂中，并加入有机酸酐单体，充分混匀进行反应，即得到含有氨基介孔材料与聚酰亚胺前体溶液的所需低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料。

2.根据权利要求1所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述介孔材料包括介孔KIT、FDU或MCM介孔材料。

3.根据权利要求1或2所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述氨基硅烷改性剂包括苯氨基甲基三甲基硅烷和/或苯氨基甲基三乙基硅烷。

4.根据权利要求1-3任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述氨基硅烷改性剂、介孔材料、乙腈和稀硝酸溶液的摩尔比为0.1-0.3：0.8-1.2：0.3-0.7：0.05-0.15。

5.根据权利要求1-4任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述焙烧步骤的温度为200-400℃。

6.根据权利要求1-5任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，还包括将得到的所述表面氨基修饰的介孔材料进行砂磨至粒径为500-2000nm的步骤。

7.根据权利要求1-6任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述有机溶剂包括甲醇、乙醇和/或丙醇，并控制所述氨基介孔材料在所述有机溶剂中的分散浓度为0.1-0.6mol/L。

8.根据权利要求1-7任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述有机酸酐单体与所述含氨基介孔材料的质量比为3-4：1。

9.根据权利要求1-8任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中：所述有机酸酐单体包括苯四甲酸二酐、单醚四酸二酐、三苯双醚四甲酸二酐、联苯醚二酐、二苯甲酮四羧酸二酐的一种或几种的混合物；

所述极性溶剂包括N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺或N,N-二甲基丙酰胺。

10.由权利要求1-9任一项所述低介电、低损耗的聚酰亚胺复合材料经常规方法制备得到的低介电、低损耗的聚酰亚胺薄膜。