[发明专利]一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法

摘要

本发明提供了一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法，通过只对AlInGaN层进行掺杂，形成了一种间断掺杂的高晶体质量的电流扩展层，利用其间断掺杂的特征形成低阻和高阻交替的状态，进而增强横向电流扩展能力，使电流扩展更加均匀。并且，AlInGaN层能够减小AlaGa1‑aN层和InbGa1‑bN层的晶格失配，提高了晶体质量，减小了多量子阱层的极化电场，从而获得了更高的光效。以及，AlaGa1‑aN层、AlInGaN层和InbGa1‑bN层具有的带隙特点，形成对电子有效的束缚作用，减少了电子泄露，极大程度的提升了LED芯片的整体性能。