[发明专利]一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法在审
| 申请号： | 202010361565.8 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111477727A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;尧刚;程伟;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 扩展 led 芯片 制作方法 | ||
1.一种改善电流扩展层的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：
衬底；
依次生长在所述衬底上的N型半导体层、电流扩展层和多量子阱层；
其中，所述电流扩展层包括在第一方向上依次交叠设置的多层AlaGa1-aN层和多层InbGa1-bN层，0＜a＜0.1,0＜b＜0.1，以及设置在所述AlaGa1-aN层和所述InbGa1-bN层之间的AlInGaN层；
所述AlInGaN层中掺杂有Si元素，所述第一方向为垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层的方向。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlInGaN层的掺杂浓度为1-10×1018cm-3。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlInGaN层的Si掺杂浓度在所述第一方向上渐变增加或渐变减小或呈梯度变化。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，多层所述AlaGa1-aN层中Al组分在所述第一方向上固定不变，多层所述InbGa1-bN层中In组分在所述第一方向上逐渐增加或减少或呈梯度变化。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，多层所述AlaGa1-aN层中Al组分在所述第一方向上逐渐增加或减少或呈梯度变化，多层所述InbGa1-bN层中In组分在所述第一方向上固定不变。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlaGa1-aN层的厚度为5nm-20nm。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述AlInGaN层的厚度为5nm-20nm。
8.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述InbGa1-bN层的厚度为5nm-20nm。
9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：
设置在所述衬底和所述N型半导体层之间的缓冲层；
依次设置在所述多量子阱层背离所述衬底一侧的P型GaN帽层和P型半导体层；
设置在所述P型半导体层上的P电极和设置在所述N型半导体层上的N电极。
10.一种改善电流扩展层的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长N型半导体层、电流扩展层和多量子阱层；
其中，所述电流扩展层包括在第一方向上依次交叠设置的多层AlaGa1-aN层和多层InbGa1-bN层，0＜a＜0.1,0＜b＜0.1，以及设置在所述AlaGa1-aN层和所述InbGa1-bN层之间的AlInGaN层；
所述AlInGaN层中掺杂有Si元素，所述第一方向为垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述N型半导体层的方向。
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