[发明专利]一种光刻方法有效
| 申请号： | 202010360801.4 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111399338B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;C23C14/30;C23C14/14;C23C14/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻方法，属于集成电路制作领域。它通过在确定沉积区的衬底上先涂覆厚度大于待沉积金属层厚度、灵敏度较高的光刻胶以形成第一光刻胶层，再涂覆灵敏度较低的光刻胶以形成第二光刻胶层，并通过一次曝光界定出位置与沉积区相对应的待溶解区域，该待溶解区域包括位于所述第一光刻胶层的第一区域和位于所述第二光刻胶层的第二区域，再利用显影液等溶解去除第一区域和第二区域的光刻胶以暴露出沉积区，然后再沉积金属材料，则在沉积区形成的金属层和第二光刻胶层表面以及侧壁的金属材料残留物之间无粘黏现象，因此，沉积金属材料之后再去剥离第一光刻胶层和第二光刻胶层时，沉积区的金属层即不会发生撕裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
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