[发明专利]一种光刻方法

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，包括：

确定衬底(1)上的沉积区(6)、以及所述沉积区(6)上待沉积金属层的厚度；

在所述衬底(1)上构建第一光刻胶层(2)，其中，所述第一光刻胶层(2)的厚度大于所述待沉积金属层的厚度；

在所述第一光刻胶层(2)上构建第二光刻胶层(3)，其中，所述第二光刻胶层(3)的灵敏度比所述第一光刻胶层(2)的灵敏度低；

曝光所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)以界定出待溶解区域，所述待溶解区域的位置与所述沉积区(6)的位置相对应，其中，所述待溶解区域包括位于所述第一光刻胶层的第一区域和位于所述第二光刻胶层的第二区域，且所述第二区域的尺寸不小于所述沉积区(6)的尺寸；

溶解去除所述第二区域和所述第一区域以暴露出所述沉积区(6)；

沉积金属材料，在所述沉积区(6)上形成金属层；

剥离所述第一光刻胶层(2)和所述第二光刻胶层(3)。

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述衬底(1)上构建第一光刻胶层(2)的方法包括：

氮气吹扫所述衬底(1)；

预烘烤所述衬底(1)；

在所述衬底(1)上涂覆第一光刻胶；

在160～200℃下烘烤2～10min后冷却制得所述第一光刻胶层(2)。

3.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述第一光刻胶层(2)上构建第二光刻胶层(3)的方法包括：

在所述第一光刻胶层(2)上涂覆第二光刻胶；

在110℃～120℃下烘烤1～3min后冷却制得所述第二光刻胶层(3)。

4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在所述曝光所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)以界定出待溶解区域的步骤之后，还包括：

烘烤所述第二光刻胶层(3)和所述第一光刻胶层(2)。

5.根据权利要求1所述的光刻方法，其中，所述第一光刻胶层(2)的厚度为所述待沉积金属层的厚度的2～3倍。

6.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于：所述在所述衬底(1)上涂覆第一光刻胶的方法包括：

以第一速度匀速转动所述衬底(1)；

在所述衬底(1)的旋转中心滴入第一光刻胶；

以第二速度匀速转动所述衬底(1)直至所述第一光刻胶散开至所述衬底(1)的边沿；

其中，所述第一速度为850～1000r/min，所述第二速度为3500～4500r/min。

7.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：采用电子束蒸镀工艺沉积所述金属材料。

8.根据权利要求7所述的光刻方法，其特征在于：所述采用电子束蒸镀工艺沉积所述金属材料包括以下步骤：

将所述衬底(1)固定在蒸发镀膜室内靶材上方的基板上；

将蒸发镀膜室抽真空至5×10^-3Pa以上；

向蒸发镀膜室通入氩气，所述氩气流量为1sccm～10sccm，气压为0.5Pa～2.5Pa；

启动电子束轰击所述靶材在沉积区(6)形成金属层。

9.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：所述剥离所述第一光刻胶层(2)和所述第二光刻胶层(3)的方法包括：

将所述衬底(1)置于20℃的1-甲基-2-吡咯烷酮溶液中浸泡；

依次将所述衬底(1)置于1-甲基-2-吡络烷酮溶液中、异丙醇溶液中、去离子水中超声震动至所述衬底(1)表面无所述第一光刻胶层(2)和所述第二光刻胶层(3)残留；

取出所述衬底(1)，用氮气吹干所述衬底(1)。