[发明专利]BCD工艺制造NLDMOS器件的方法及其形成的器件在审
| 申请号： | 202010359954.7 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN111370314A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 宋亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及BCD工艺制造NLDMOS器件的方法，在衬底表面形成第一多晶硅层和介质层，将第一多晶硅分割成第二多晶硅和第三多晶硅，在第二多晶硅与第三多晶硅之间的区域形成P阱，并在P阱表面形成N型重掺杂区，形成覆盖第二多晶硅和介质层的第一侧墙以及覆盖第三多晶硅和介质层的第二侧墙，进行无阻挡式硅刻蚀去除第一侧墙和第二侧墙之间的N型重掺杂区而裸露出相应的P阱表面，而形成第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，对裸露的P阱表面进行P型注入，形成P阱引出区，第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区用于形成源区，如此源区与P阱引出区在水平位置上错位，则源区不会挤压位于其间的P阱引出区，而较易将P阱置零并引出，而提高NLDMOS器件的ESD性能。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 制造 nldmos 器件 方法 及其 形成 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
