[发明专利]BCD工艺制造NLDMOS器件的方法及其形成的器件

说明书

本发明涉及BCD工艺制造NLDMOS器件的方法，在衬底表面形成第一多晶硅层和介质层，将第一多晶硅分割成第二多晶硅和第三多晶硅，在第二多晶硅与第三多晶硅之间的区域形成P阱，并在P阱表面形成N型重掺杂区，形成覆盖第二多晶硅和介质层的第一侧墙以及覆盖第三多晶硅和介质层的第二侧墙，进行无阻挡式硅刻蚀去除第一侧墙和第二侧墙之间的N型重掺杂区而裸露出相应的P阱表面，而形成第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区，对裸露的P阱表面进行P型注入，形成P阱引出区，第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区用于形成源区，如此源区与P阱引出区在水平位置上错位，则源区不会挤压位于其间的P阱引出区，而较易将P阱置零并引出，而提高NLDMOS器件的ESD性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种BCD工艺制造NLDMOS器件的方法。

背景技术

半导体集成电路中，静电释放(ESD)会对器件产生破坏作用，所以在集成电路的输入输出端需要设置ESD防护电路进行静电保护，现有用于ESD保护电路的器件包括横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal OxideSemiconductor，LDMOS)，其由于具有耐高压、大电流驱动能力、极低功耗以及可与互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，CMOS)集成等优点，目前在电源管理电路中被广泛采用，LDMOS包括N型LDMOS和P型LDMOS。

BCD工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)器件、CMOS器件、扩散金属氧化物半导体(Diffused Metal Oxide Semiconductor，DMOS)器件的工艺。

请参阅图1a至图1d所示，其为现有的BCD工艺制造NLDMOS器件过程中的器件结构示意图。如图1a所示，半导体衬底110由浅沟槽隔离结构131隔离出有源区，半导体衬底110上形成有多晶硅层120，进行光刻曝光形成P阱区图形；如图1b所示，进行多晶硅层120刻蚀，暴露出P阱区的半导体衬底110，而形成第一多晶硅121和第二多晶硅122；如图1c所示，进行P阱注入工艺以形成P阱130，在P阱130表面形成N型掺杂区132；如图1d所示，形成第一多晶硅121和第二多晶硅122的侧墙160，然后在裸露的P阱130表面形成第一源区141和第二源区142，然后形成位于第一源区141和第二源区142之间的P阱引出区150，然后在第一多晶硅121、第二多晶硅122、第一源区141、第二源区142及P阱引出区150上形成硅化物层170。

如图1d所示，第一源区141、第二源区142及P阱引出区150位于同一水平位置，则由于工艺等原因第一源区141和第二源区142会挤压位于其间的P阱引出区150，而使P阱引出区150变小或变形，则不易将P阱130置零并引出，因此影响NLDMOS器件的静电释放(ESD)性能。

发明内容