[发明专利]氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置在审
| 申请号： | 202010357993.3 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111348652A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 万烨;曾晓国;严大洲;张伟;张晓伟;付强;耿乐康 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张亚辉 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置，其中，氯硅烷高沸物催化裂解反应器，包括：反应器本体，反应器本体包括侧壁、顶壁和底壁，侧壁围设为筒状结构，顶壁封堵在筒状结构的上端，底壁封堵在筒状结构的下端；第一进料通道，第一进料通道设置在底壁上；第二进料通道，第二进料通道设置在筒状结构的上部；出料通道，出料通道设置在顶壁上。本发明的技术方案有效地解决了现有技术中的多晶硅在生产过程中造成的原料浪费和环境污染的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 高沸物 催化 裂解 反应器 多晶 装置 | ||
【主权项】：
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