[发明专利]氯硅烷高沸物催化裂解反应器和多晶硅装置

权利要求书

1.一种氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，包括：

反应器本体(10)，所述反应器本体(10)包括侧壁、顶壁和底壁，所述侧壁围设为筒状结构，所述顶壁封堵在所述筒状结构的上端，所述底壁封堵在所述筒状结构的下端；

第一进料通道(20)，所述第一进料通道(20)设置在所述底壁上；

第二进料通道(30)，所述第二进料通道(30)设置在所述筒状结构的上部；

出料通道(40)，所述出料通道(40)设置在所述顶壁上。

2.根据权利要求1所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述第一进料通道(20)包括第一进料管(21)和第一滤帽(22)，所述第一进料管(21)穿过所述底壁，所述第一进料管(21)的第一端位于所述反应器本体(10)内，所述第一进料管(21)的第二端位于所述反应器本体(10)的外部，所述第一滤帽(22)设置在所述第一进料管(21)的第一端。

3.根据权利要求2所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述第一滤帽(22)包括第一壳体和设置在所述第一壳体内的滤芯，所述第一壳体上具有过孔，所述第一壳体与所述第一进料管(21)通过螺纹连接。

4.根据权利要求1所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述第二进料通道(30)包括第二进料管(31)和多个螺旋喷头(32)，所述第二进料管(31)穿过所述侧壁，所述多个螺旋喷头(32)安装在所述第二进料管(31)的位于所述反应器本体(10)内的管段上。

5.根据权利要求4所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述出料通道(40)包括出料管(41)和第二滤帽(42)，所述出料管(41)的第一端位于所述反应器本体(10)内，所述出料管(41)的第二端位于所述反应器本体(10)的外部，所述第二滤帽(42)设置在所述出料管(41)的第一端。

6.根据权利要求5所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述第二滤帽包括第二壳体和设置在所述第二壳体内的滤芯，所述第二壳体上具有过孔，所述第二壳体与所述第二进料管(31)通过螺纹连接。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述氯硅烷高沸物催化裂解反应器还包括支撑结构(50)，所述支撑结构(50)设置在所述反应器本体(10)内，并位于靠近所述底壁的一侧。

8.根据权利要求7所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述支撑结构(50)包括设置在所述反应器本体(10)的内壁上的支架和支撑板，所述支撑板安装在所述支架上。

9.根据权利要求8所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述支撑板采用金属粉末多孔材料制成。

10.根据权利要求7所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述氯硅烷高沸物催化裂解反应器还包括卸料通道(60)，所述卸料通道(60)位于所述反应器本体(10)的侧壁上，所述卸料通道(60)位于所述支撑结构(50)的远离所述底壁的一侧。

11.根据权利要求1所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器，其特征在于，所述氯硅烷高沸物催化裂解反应器还包括加料通道(70)，所述加料通道(70)位于所述反应器本体(10)的侧壁上。

12.一种多晶硅装置，其特征在于，所述多晶硅装置包括氯硅烷高沸物催化裂解反应器，所述氯硅烷高沸物催化裂解反应器为权利要求1至11中任一项所述的氯硅烷高沸物催化裂解反应器。