[发明专利]一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010353120.5 | 申请日： | 2020-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111508825B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 穆钰平 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体层；对半导体层刻蚀形成多个器件结构，器件结构包括有效器件及位于有效器件外围的多个测量标记，相邻两个器件结构各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套；根据相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量。相邻两个器件结构中各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套，进而，能够通过获取相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量，达到监测半导体层中有效器件之间偏移矢量的目的，能够为后续工艺制作提供当前半导体层中器件偏移数据支持。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 偏移 监测 方法 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
