[发明专利]一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供了一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法，包括：提供一半导体层；对半导体层刻蚀形成多个器件结构，器件结构包括有效器件及位于有效器件外围的多个测量标记，相邻两个器件结构各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套；根据相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量。相邻两个器件结构中各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套，进而，能够通过获取相邻两个器件结构中对应嵌套的测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个器件结构中有效器件之间的偏移矢量，达到监测半导体层中有效器件之间偏移矢量的目的，能够为后续工艺制作提供当前半导体层中器件偏移数据支持。

技术领域

本发明涉及半导体制作技术领域，更为具体地说，涉及一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法。

背景技术

随着集成制造工艺向更小尺寸的方向的不断发展，器件的制作精度监测问题受到更多的重视。现有半导体器件的叠层结构制作过程中，半导体层与半导体层之间套刻精度监测技术迅速发展，但是，对于单个半导体层上器件结构的偏移监测有些不足，单个半导体层尤其首层半导体层的器件结构偏移直接影响后续半导体层的制作，因此，单个半导体层的器件结构偏移数据监测尤为重要。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种器件偏移监测方法、半导体器件及其制作方法，有效解决现有技术存在的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种器件偏移监测方法，应用于半导体层上器件制作过程，包括：

提供一半导体层；

对所述半导体层刻蚀形成多个器件结构，所述器件结构包括有效器件及位于所述有效器件外围的多个测量标记，其中，相邻两个器件结构各自包括的至少一个测量标记一一对应嵌套；

根据相邻两个所述器件结构中对应嵌套的所述测量标记之间的偏移矢量，确定相邻两个所述器件结构中有效器件之间的偏移矢量。

可选的，对所述半导体层刻蚀形成多个器件结构，包括：

在所述半导体层一表面上形成光刻胶层；

采用具有预设图案的光罩对所述光刻胶层曝光，形成与所述预设图案相同的多个曝光图案，所述曝光图案包括有效器件子图案及位于所述有效器件子图案外围的多个测量标记子图案，其中，相邻两个所述曝光图案各自包括的至少一个测量标记子图案一一对应嵌套；

对所述光刻胶层进行显影后对所述半导体层进行刻蚀，形成对应所述有效器件子图案处的有效器件及对应所述测量标记子图案处的测量标记。

可选的，获取相邻两个所述器件结构中对应嵌套的所述测量标记之间的偏移矢量，包括：

获取相邻两个所述器件结构中对应嵌套的所述测量标记的中心点间偏移矢量，为所述器件结构中对应嵌套的所述测量标记间的偏移矢量。

可选的，在相邻两个所述器件结构的排列方向上：

所述器件结构包括分别位于所述有效器件两侧的第一标记区和第二标记区，所述第一标记区和所述第二标记区均包括至少一个所述测量标记，所述第一标记区的测量标记和所述第二标记区的测量标记一一相对设置，且所述第一标记区的测量标记的尺寸与其相对的所述第二标记区的测量标记的尺寸不同。

可选的，所述第一标记区的所有测量标记的尺寸相同。

可选的，所述第二标记区的所有测量标记的尺寸相同。

可选的，相邻两个所述器件结构中对应嵌套的所述测量标记均包括环形部，且一个测量标记的环形部嵌套于另一个测量标记的环形部的环绕区域中。