[发明专利]SOI晶圆片的制作方法在审
| 申请号： | 202010349275.1 | 申请日： | 2020-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN111508891A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 陈勇跃 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI晶圆片的制作方法，包括：步骤一、在第一晶圆片的第一表面依次形成第一二氧化硅层和第二高介电常数层；步骤二、在第一晶圆片的第一表面注入氢杂质；步骤三、在第二晶圆片的第一表面形成第三二氧化硅层；步骤四、对第二高介电常数层和第三二氧化硅层进行键合；步骤五、将第一晶圆片中位于氢杂质注入区域顶部的部分去除，由保留的第一晶圆片作为顶层硅，由第一二氧化硅层、第二高介电常数层和第三二氧化硅层叠加形成高介电常数介质埋层，由第二晶圆片作为体硅。本发明能形成高介电常数介质埋层，能增强器件的背栅对沟道区的电容耦合作用，有利于形成FDSOI器件并显著提升背栅在FBB和RBB模式下的控制力，降低器件的功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶圆片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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