[发明专利]一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件

摘要

本发明公开了一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括依次设置的衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，二硫化钼层为复合层状结构，二硫化钼层包括上MoS2膜层、夹心MoS2膜层和下MoS2膜层，上MoS2膜层、下MoS2膜层是通过磁控溅射方式形式的2H相MoS2膜层，夹心MoS2膜层是通过化学液相剥离后涂覆形成的2H‑1T共相MoS2膜层。本发明的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件具有传输速度快、产品一致性好和使用寿命长特点。