[发明专利]一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件

权利要求书

1.一种高传输速度基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，包括衬底层、下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层和保护层，所述下电极层、第一GeSbTe材料层、二硫化钼层、第二GeSbTe材料层、石墨烯层、上电极层、保护层依次设置叠加在所述为衬底层上，其特征在于：

所述二硫化钼层为复合层状结构，所述二硫化钼层包括上MoS₂膜层、夹心MoS₂膜层和下MoS₂膜层，所述上MoS₂膜层、下MoS₂膜层是通过磁控溅射方式形式的2H相MoS₂膜层，所述夹心MoS₂膜层是通过化学液相剥离后涂覆形成的2H-1T共相MoS₂膜层。

2. 根据权利要求1所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：所述上MoS₂膜层、下MoS₂膜层为TiN- MoS₂/Ti膜层或TiN- MoS₂/TiN膜层。

3. 根据权利要求2所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于： 所述上MoS₂膜层、夹心MoS2膜层、下MoS₂膜层的厚度比例为1:2:1。

4.根据权利要求2所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：所述薄膜器件在镀覆第一GeSbTe材料层后进行高温热压整形后再进行石墨烯层的镀覆。

5.根据权利要求2所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：所述夹心MoS₂膜层是通过多次涂覆并干燥的方式把超声分散、超临界分离得到的MoS₂溶液涂覆在下MoS₂膜层上，待涂覆完成后再镀覆上MoS₂膜层。

6.根据权利要求2所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：在上MoS₂膜层与夹心MoS₂膜层之间还设有第一夹心MoS₂内膜层和第一上MoS₂内膜层，所述第一夹心MoS₂的结构与夹心MoS₂膜层相同，第一上MoS₂内膜层与上MoS₂膜层相同，上MoS₂膜层、第一夹心MoS₂内膜层、第一上MoS₂内膜层、夹心MoS₂膜层依次设置形成交错层状设置。

7.根据权利要求2所述的改进型基于GeSbTe相变材料的薄膜器件，其特征在于：在下MoS₂膜层与夹心MoS₂膜层之间还设有第二夹心MoS₂内膜层和第二下MoS₂内膜层，所述第二夹心MoS₂的结构与夹心MoS₂膜层相同，第二下MoS₂内膜层与下MoS₂膜层相同，下MoS₂膜层、第二夹心MoS₂内膜层、第二下MoS₂内膜层、夹心MoS₂膜层依次设置形成交错层状设置。