[发明专利]一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法在审
| 申请号: | 202010341615.6 | 申请日: | 2020-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN111430405A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
| 发明(设计)人: | 刘鉴明;柯志杰;谈江乔;黄青青;柯毅东 | 申请(专利权)人: | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 尹秀 |
| 地址: | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | 本申请实施例提供了一种LED结构及其LED阵列的巨量转移方法,该方法利用光感应材料层覆盖LED阵列背离第二衬底一侧表面,并填充LED阵列中相邻LED之间的间隙,从而使得光感应材料层既可以作为LED阵列与第一衬底之间的键合层,又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层,并且通过预设光线对光感应材料层的第一区域照射进行去除,保留光感应材料层的第二区域作为链条图形层,无需额外制备链条图形层,从而简化了LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤,还避免了键合层和牺牲层以及链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题,降低了所述LED巨量转移过程中的成本和工艺难度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 led 结构 阵列 巨量 转移 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





