[发明专利]一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法

说明书

本申请实施例提供了一种LED结构及其LED阵列的巨量转移方法，该方法利用光感应材料层覆盖LED阵列背离第二衬底一侧表面，并填充LED阵列中相邻LED之间的间隙，从而使得光感应材料层既可以作为LED阵列与第一衬底之间的键合层，又可以作为填充相邻LED之间缝隙的牺牲层，并且通过预设光线对光感应材料层的第一区域照射进行去除，保留光感应材料层的第二区域作为链条图形层，无需额外制备链条图形层，从而简化了LED阵列的巨量转移过程中的工艺步骤，还避免了键合层和牺牲层以及链条图形层和牺牲层采用不同材料时的材料不兼容问题，降低了所述LED巨量转移过程中的成本和工艺难度。

技术领域

本申请涉及Micro-Led巨量转移技术领域，尤其涉及一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法。

背景技术

Micro-Led技术，即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成高密度、微小尺寸的LED阵列的技术，以将像素点的距离从毫米级降低至微米级。由于Micro-Led性能上表现优越，继承了无机LED的高亮度、高良率、高可靠性、体积小、寿命长等优势，在显示领域的应用越来越广泛。

具体的，在Micro-Led的制作过程中，巨量转移是Micro-Led实现产业化的主要瓶颈，如何解决这一技术难题，成为Micro-Led成本降低和量产的关键环节。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种LED结构及LED阵列的巨量转移方法，以降低了所述LED结构中LED巨量转移的工艺难度和成本。

为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：

一种LED阵列的巨量转移方法，包括：

在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层，其中，所述LED阵列结构包括：第二衬底以及位于所述第二衬底第一侧的LED阵列，所述光感应材料层覆盖所述LED阵列背离所述第二衬底一侧表面，并填充所述LED阵列中相邻LED之间的间隙，所述光感应材料层在预设光线的照射下分解；

利用所述光感应材料层，在所述光感应材料层背离所述LED阵列一侧键合第一衬底；

去除所述第二衬底，在所述第一衬底背离所述LED阵列一侧形成第一掩膜版；

以所述第一掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层进行照射，直至去除所述光感应材料层的第一区域，保留所述光感应材料层的第二区域；

其中，所述光感应材料层的第二区域包括第一组成部分和第二组成部分，所述第一组成部分垂直于所述第一衬底，且与所述第一衬底组合后形成的结构具有多个凹槽，所述第二组成部分位于所述凹槽内，由所述凹槽的侧壁向所述凹槽的中心延伸形成，所述LED通过所述第二组成部分固定在所述凹槽内，且与所述第一衬底之间具有间隙。

可选的，还包括：

在所述光感应材料层的第二区域背离所述第一衬底的一侧形成第二掩膜版；

以所述第二掩膜版为掩膜，利用所述预设光线对所述光感应材料层的第二区域的第二组成部分进行照射，去除所述光感应材料层第二组成部分的部分厚度，保留所述第二组成部分的部分厚度。

可选的，所述第二组成部分保留部分的厚度的取值范围为0.5μm～2μm，包括端点值。

可选的，所述第一掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形和所述第二掩膜版位于所述凹槽内的部分的图形互补。

可选的，所述预设光线为紫外激光。

可选的，在LED阵列结构第一侧形成覆盖LED阵列的光感应材料层包括：

在LED阵列结构第一侧旋涂激光感应材料，形成覆盖LED阵列的光感应材料层。