[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202010337743.3 | 申请日： | 2020-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035962B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 普佳·瑞凡卓·戴许曼;陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/337 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种结型场效应晶体管及其制造方法，适用于高电压操作。其中，结型场效应晶体管包括衬底层，掺杂有第一导电型掺质。基部井区形成在该衬底层上，掺杂有第二导电型掺质。阻挡层位于该衬底层与该基部井区的界面上，掺杂有该第一导电型掺质。栅极区在该基部井区的表面部，掺杂有该第一导电型掺质。源极区与漏极区在该基部井区的该表面部，位于该栅极区的两侧，掺杂有该第二导电型掺质。隔离结构在该基部井区的该表面部，隔离该栅极区。该栅极区包含往该漏极区延伸的一凸出部，该凸出部在该隔离结构下，该凸出部的深度比该栅极区的其他区域浅。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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