[发明专利]结型场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，适用于高电压操作，包括：

衬底层，掺杂有第一导电型掺质；

基部井区，形成在该衬底层上，掺杂有第二导电型掺质；

阻挡层，位于该衬底层与该基部井区的界面上，掺杂有该第一导电型掺质；

栅极区，在该基部井区的表面部，掺杂有该第一导电型掺质；

源极区与漏极区，在该基部井区的该表面部，位于该栅极区的两侧，掺杂有该第二导电型掺质； 以及

隔离结构，在该基部井区的该表面部，隔离该栅极区，

其中该栅极区包含往该漏极区延伸的一凸出部，该凸出部在该隔离结构下，该凸出部的深度比该栅极区的其他区域浅。

2.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该基部井区在该栅极区与该阻挡层之间的第一部分的平均掺杂浓度，是低于该基部井区在该第一部分周围的第二部分的掺杂浓度。

3.如权利要求2所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该基部井区的该第一部分包含浓度调整区域，该浓度调整区域的掺杂浓度是依据该基部井区的掺质自然渗透。

4.如权利要求3所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该浓度调整区域的数量是一个或是多个。

5.如权利要求3所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该浓度调整区域是一个或是多个的柱状区域。

6.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该栅极区与该漏极区的距离比该栅极区与该源极区的距离大。

7.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该栅极区包括：

重掺杂区，在该基部井区的该表面部，由该隔离结构与该源极区与该漏极区隔离；

掺杂层，在该重掺杂区下，包含该凸出部； 以及

上部井区，在该掺杂层下，对应该阻挡层设置。

8.如权利要求7所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该重掺杂区、该掺杂层及该上部井区的掺杂浓度是渐减，且大于该衬底层的掺杂浓度。

9.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该源极区与该漏极区的浓度大于该基部井区的浓度。

10.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，在该基部井区中位于该漏极区下还包含该第二导电型的井区。

11.如权利要求1所述的结型场效应晶体管，其特征在于，该基部井区是高电压掺杂井区。

12.一种制造结型场效应晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供一衬底层，掺杂有第一导电型掺质；

形成基部井区在该衬底层上，掺杂有第二导电型掺质；

形成阻挡层于该衬底层与该基部井区的界面上，掺杂有该第一导电型掺质；

形成栅极区在该基部井区的表面部，掺杂有该第一导电型掺质；

形成源极区与漏极区在该基部井区的该表面部，位于该栅极区的两侧，掺杂有该第二导电型掺质； 以及

形成隔离结构在该基部井区的该表面部，隔离该栅极区，

其中该栅极区包含往该漏极区延伸的一凸出部，该凸出部在该隔离结构下，该凸出部的深度比该栅极区的其他区域浅。